ASML TWINSCAN XT:760F — проекционная система фотолитографии типа Step-and-Scan. Она использует KrF-эксимерный лазер с длиной волны 248 нм и работает без иммерсионной жидкости.
Машина предназначена для переноса рисунка с фотошаблона на фоторезист при производстве микросхем по зрелым технологическим нормам. По возможностям она находится между i-line оборудованием 365 нм и более сложными ArF-системами 193 нм.
XT:760F не следует описывать как i-line систему. Перед публикацией английская страница также должна быть исправлена.
Для каких процессов применяется XT:760F
Модель может использоваться для экспонирования:
активных областей;
контактных и переходных отверстий;
металлических соединений;
имплантационных масок;
отдельных слоёв памяти;
логических и периферийных структур;
других слоёв класса приблизительно 90–130 нм.
Конкретная пригодность зависит от требуемого CD, точности совмещения, фотошаблона, фоторезиста и установленной оптики.
Какие пластины и изделия можно обрабатывать
В зависимости от заводской конфигурации и последующих модернизаций оборудование может быть настроено для пластин 200 или 300 мм. Размер нельзя определять только по названию XT:760F — его необходимо проверять по серийному номеру и системе загрузки.
Основной материал — кремниевые пластины. Также возможна работа с SOI и эпитаксиальными пластинами стандартной геометрии.
На XT:760F могут выпускаться слои для:
логических микросхем;
устройств памяти;
аналоговых и смешанных микросхем;
силовых полупроводников;
автомобильной электроники;
контроллеров и периферийных схем;
специализированных интегральных схем.
Возможность обработки SiC, GaAs или нестандартных подложек не следует заявлять без проверки загрузчика, держателя и допустимого прогиба пластины.
Технические параметры ASML XT:760F
| Параметр | Значение |
|---|
| Производитель | ASML |
| Модель | TWINSCAN XT:760F |
| Тип системы | Сухой сканер Step-and-Scan |
| Источник излучения | KrF-эксимерный лазер |
| Длина волны | 248 нм |
| Метод экспонирования | Сухой |
| Диаметр пластин | 200 или 300 мм, зависит от конфигурации |
| Числовая апертура | Около 0,63 |
| Разрешение | До 110 нм, в зависимости от процесса |
| Целевой класс процесса | Приблизительно 90–130 нм |
| Максимальное поле экспонирования | Около 26 × 33 мм |
| Платформа | Два рабочих стола TWINSCAN |
| Производительность | Зависит от размера пластины, дозы и лазера |
| Состояние | Бывшее в эксплуатации |
Для карточки конкретной машины нельзя указывать производительность без данных заводской конфигурации. Значение зависит от диаметра пластины, экспозиционной дозы, модели лазера и версии программного обеспечения.
Конфигурационные различия XT:760F
Пластины 200 и 300 мм
На вторичном рынке могут встречаться разные исполнения. Они отличаются загрузочными портами, роботами, держателями и фабричным интерфейсом. Конфигурация для 300 мм обычно использует FOUP, а для 200 мм может иметь другое кассетное исполнение.
KrF-лазер
Могут отличаться производитель, модель, частота импульсов, мощность и наработка лазера. От состояния лазерной камеры зависит стабильность дозы и фактическая производительность.
Оптическая система
Необходимо сверять числовую апертуру, состояние объектива, диапазон фокусировки и доступные режимы освещения. На модернизированных системах набор опций может отличаться от исходной комплектации.
Система совмещения
Машины могут иметь разные версии датчиков совмещения и программных пакетов коррекции. Это влияет на работу со сложными слоями и совместимость с другими экспонирующими установками в линии.
Автоматизация фабрики
Отдельно проверяются количество портов, интерфейс MES/host, версия программного обеспечения и возможность подключения к существующей производственной системе.
Какие данные нужны для подбора
При запросе XT:760F необходимо указать:
диаметр пластин — 200 или 300 мм;
минимальный требуемый размер элементов;
точность совмещения;
тип изделия;
список экспонируемых слоёв;
размер поля кристалла;
используемый фоторезист;
тип загрузки пластин;
модель существующей трек-системы.
После этого можно проверить серийный номер, лазер, оптику, загрузочную конфигурацию и реальную пригодность конкретной машины для проекта.